企业简介
本公司位于江苏徐州，主营 毛皮 等。公司秉承“顾客上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户”的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎惠顾！
江苏中能硅业科技发展有限公司的工商信息
- 320300400006732
- 913203017849976109
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(台港澳合资)
- 2006年03月07日
- 蒋文武
- 705203.133000
- 2006年03月07日 至 2046年03月07日
- 徐州经济技术开发区市场监督管理局
- 2017年12月28日
- 徐州经济技术开发区杨山路66号
- 研究、生产多晶硅、单晶硅；与光伏产业有关的工程咨询、项目开发；危险化学品[盐酸、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯化硅、氢（压缩的）、氧（液化的）、氮（液化的）、氩（液化的）、硅粉（非晶形的）、硅烷]的生产；处置、利用四氯化硅废液（HW34）10万吨/年；销售自产产品。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
分支机构
江苏中能光伏科技发展有限公司上海分公司
江苏中能硅业科技发展有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN102438945B | 制备高纯度多晶硅的方法和设备 | 2016.12.14 | 在一个实施方案中，本发明的方法包括将至少一种硅源气体和多晶硅的硅籽晶供应至反应区段；将所述的至少一种 |
| 2 | CN206108909U | 液态硅生产装置 | 2017.04.19 | 本实用新型公开了一种液态硅生产装置，该装置包括依次连接的等离子发生器、反应器、硅液承载器和尾气分离系 |
| 3 | CN206069388U | 一种四氯化硅汽化装置 | 2017.04.05 | 本实用新型公开了一种四氯化硅汽化装置，包括氢气加热器、四氯化硅加热器、静态混合器和四氯化硅汽化塔，其 |
| 4 | CN104540590B | 高球形度籽晶和流化床颗粒硅的制备方法 | 2017.03.08 | 本发明公开了一种高球形度籽晶和流化床颗粒硅的制备方法，其步骤包含，通过辊式装置将流化床法制备的颗粒硅 |
| 5 | CN205953537U | 一种多晶硅渣浆处理系统 | 2017.02.15 | 本实用新型公开了一种多晶硅渣浆处理系统，包括通过管道依次相连的储存设备、干燥设备、水解设备、固液分离 |
| 6 | CN205933254U | 流化床反应器 | 2017.02.08 | 本实用新型公开了一种流化床反应器，包括反应管、分布器和加热装置，反应管和位于反应管底部的分布器构成的 |
| 7 | CN205892763U | 用于制备颗粒硅的流化床反应器 | 2017.01.18 | 本实用新型公开了一种用于制备颗粒硅的流化床反应器，由顶部的扩大段、中部的直筒段和底部的圆筒段密封构成 |
| 8 | CN205061573U | 制备高纯多晶硅的流化床反应器 | 2016.03.02 | 本实用新型公开了一种制备高纯多晶硅的新型流化床反应器，属于多晶硅制备领域。该流化床反应器包括上部流化 |
| 9 | CN105314637A | 卤硅聚合物裂解制备卤硅烷的方法及装置 | 2016.02.10 | 本发明公开了一种卤硅聚合物裂解制备卤硅烷的方法及装置，包括将卤硅聚合物通入裂解反应器中，在催化剂与裂 |
| 10 | CN105271241A | 用于生产多晶硅的反应器 | 2016.01.27 | 本发明公开了一种用于生产多晶硅的反应器，其包括含有冷却设施的炉筒、底盘、以及位于所述底盘上的电极、原 |
| 11 | CN102530951B | 生产粒状多晶硅的方法及装置 | 2016.01.20 | 本发明公开了一种采用流化床工艺生产粒状多晶硅的方法及装置，通过将氯化氢从流化床顶部扩大段通入流化床反 |
| 12 | CN204973312U | 用于多晶硅副产渣浆液固分离的装置系统 | 2016.01.20 | 本实用新型公开了一种用于多晶硅副产渣浆液固分离的装置系统，包括渣浆供料单元、助滤剂供料单元、转鼓真空 |
| 13 | CN101654249A | 一种多晶硅硅棒的生产方法 | 2010.02.24 | 本发明公开了一种多晶硅硅棒的生产方法：硅芯表面温度1100～1250℃时，通入氢气和三氯氢硅反应30 |
| 14 | CN201313954Y | 用于制备多晶硅的还原炉 | 2009.09.23 | 本实用新型涉及一种用于制备多晶硅的还原炉，其包括外层壳体、内层壳体、底盘、硅芯棒，冷却水循环装置，设 |
| 15 | CN105037409A | 利用反应精馏制备和纯化甲硅烷的方法 | 2015.11.11 | 本发明涉及一种利用反应精馏制备和纯化甲硅烷的方法，包括在第一反应精馏塔塔釜原料三氯氢硅发生歧化反应， |
| 16 | CN105036137A | 以二氯二氢硅为原料歧化制备硅烷的方法 | 2015.11.11 | 一种以二氯二氢硅为原料歧化制备硅烷的方法，包括在反应精馏塔塔釜原料二氯二氢硅发生歧化反应并精馏分离， |
| 17 | CN105000564A | 用于制备硅烷的二氯二氢硅的生产方法 | 2015.10.28 | 本发明涉及一种用于制备硅烷的二氯二氢硅的生产方法，包括在反应精馏塔塔釜原料三氯氢硅发生歧化反应并精馏 |
| 18 | CN201665536U | 一种适用于西门子工艺生产多晶硅的还原炉 | 2010.12.08 | 本实用新型公开了一种适用于西门子工艺生产多晶硅的还原炉，它包括钟罩式炉筒、底盘、原料气进口及管道、尾 |
| 19 | CN201665535U | 一种用于连续生产液体硅的填料塔 | 2010.12.08 | 本实用新型公开了一种用于连续生产液态硅的填料塔，它包括带冷却夹套的金属壳体、独立内衬、液体硅分布盘、 |
| 20 | CN201665537U | 用于连续生产液体硅的装置 | 2010.12.08 | 本实用新型公开了一种用于连续生产液体硅的装置，包括反应塔，在反应塔的上部连接有液态硅加料器和尾气排放 |
| 21 | CN201665729U | 一种用于拉制具有曲面形状硅薄壳的装置 | 2010.12.08 | 本实用新型公开了一种用于拉制具有曲面形状硅薄壳的装置，主要包含用于容纳熔融液态硅的坩埚、用于连续向坩 |
| 22 | CN104906945A | 除去多晶硅生产尾气中卤化氢的方法 | 2015.09.16 | 本发明公开了一种从多晶硅生产尾气中除去卤化氢的方法，其步骤包括：在温度30-200℃、压力0～1.0 |
| 23 | CN102583392B | 含硅卤化物脱卤加氢的方法 | 2015.08.05 | 本发明公开了一种含硅卤化物脱卤加氢的方法，它包括采用含氮化合物和镍、钯、钌等金属和/或其化合物形成的 |
| 24 | CN102557038B | 一种多晶硅制备方法 | 2015.05.13 | 本发明公开了一种多晶硅的制备方法，其包括在还原炉反应器内，原料三氯氢硅与高纯氢气在1050-1250 |
| 25 | CN102557041B | 连续生产三氯甲硅烷的方法及装置 | 2015.05.13 | 本发明公开了一种在高压下将液态四氯化硅与氢气反应生成气态甲硅烷的方法及装置，在一定压力下，将温度控制 |
| 26 | CN204281334U | 用于生产多晶硅的反应器 | 2015.04.22 | 本实用新型公开了一种用于生产多晶硅的反应器，其包括含有冷却设施的炉筒、底盘、以及位于所述底盘上的电极 |
| 27 | CN104540590A | 高球形度籽晶和流化床颗粒硅的制备方法 | 2015.04.22 | 本发明公开了一种高球形度籽晶和流化床颗粒硅的制备方法，其步骤包含，通过辊式装置将流化床法制备的颗粒硅 |
| 28 | CN204057977U | 用于卤硅聚合物裂解制备卤硅烷的装置系统 | 2014.12.31 | 本实用新型公开了一种用于卤硅聚合物裂解制备卤硅烷的装置系统，包括原料预处理器、催化剂配制器、裂解反应 |
| 29 | CN103990422A | 流化床反应器及其用于制备粒状多晶硅和三氯氢硅的方法 | 2014.08.20 | 本发明公开了一种流化床反应器及其用于制备粒状多晶硅和三氯氢硅的方法，在流化床反应器中通过正负电极且电 |
| 30 | CN102438763B | 具有包覆有硅化物的金属表面的反应器 | 2014.08.13 | 在实施方案中，反应器包括区段，其中，该区段的至少一部分包括一基础层，其中，该基础层具有第一组成，第一 |
| 31 | CN103979544A | 利用反应精馏生产硅烷及三氯氢硅的方法 | 2014.08.13 | 本发明公开了一种利用反应精馏生产硅烷及三氯氢硅的方法，包括在反应精馏装置中通过氯硅烷歧化或反歧化制备 |
| 32 | CN103523786A | 流化床反应器及其用于制备高纯粒状多晶硅的方法 | 2014.01.22 | 本发明公开了一种流化床反应器及其用于制备高纯粒状多晶硅的方法，包括反应管、分布器和加热装置，所述反应 |
| 33 | CN103498128A | 磁控溅射镀膜装置及镀膜方法 | 2014.01.08 | 本发明公开了一种磁控溅射镀膜装置及镀膜方法，包括镀膜设备主体、机架平台、挡板、冷却设施及泵组，所述镀 |
| 34 | CN203295205U | 流化床反应器 | 2013.11.20 | 本实用新型公开了一种流化床反应器及其用于制备高纯粒状多晶硅的方法，包括反应管、分布器和加热装置，所述 |
| 35 | CN102134745B | 用于生产多晶硅的反应器及系统 | 2013.07.10 | 本发明公开了一种适用于西门子工艺生产棒状多晶硅的反应器，其包括底盘和罩在所述底盘上的筒体，所述底盘上 |
| 36 | CN102953119A | 一种高效节能的多晶硅制备工艺及装置 | 2013.03.06 | 本发明涉及一种多晶硅制备工艺和用于本工艺的多晶硅制备装置，制备工艺是在自蔓延燃烧反应器，采用卤化盐为 |
| 37 | CN101837977B | 硅单质的生产方法及生产设备 | 2013.02.13 | 本发明涉及一种硅单质的生产方法和生产设备，其中所述生产方法包括使汽化的硅化合物或者汽化的硅化合物与氢 |
| 38 | CN101748482B | 制备高致密结构多晶硅的改进方法和装置 | 2013.02.13 | 一种制备高致密结构多晶硅的改进方法和装置，该方法包括：a)抽空还原炉内的空气，以氮气置换数次，启动还 |
| 39 | CN102180467B | GCL法多晶硅生产方法 | 2012.12.26 | 本发明提供了一种GCL法多晶硅生产方法，也称为闭环式多晶硅生产方法，其包括氯氢化步骤、反歧化步骤、还 |
| 40 | CN202575997U | 带硅粉处理装置的多晶硅还原炉 | 2012.12.05 | 本实用新型涉及一种带硅微粉处理装置的多晶硅还原炉，由炉筒，炉体、底盘构成，炉筒上有冷却水腔，冷却水进 |
| 41 | CN202558643U | 一种用于生产管状多晶硅的反应器 | 2012.11.28 | 本实用新型公开了一种用于生产多晶硅的反应器，采用类似列管式换热器的结构，使含硅原料气在列管内部沉积生 |
| 42 | CN102009984B | 利用氯硅烷制备分子筛的方法 | 2012.07.25 | 本发明公开了一种利用氯硅烷制备分子筛的方法：1)将氯硅烷与氢氧化钠溶液在反应器中混合，控制氢氧化钠溶 |
| 43 | CN102583392A | 含硅卤化物脱卤加氢的方法 | 2012.07.18 | 本发明公开了一种含硅卤化物脱卤加氢的方法，它包括采用含氮化合物和镍、钯、钌等金属和/或其化合物形成的 |
| 44 | CN102557041A | 连续生产三氯甲硅烷的方法及装置 | 2012.07.11 | 本发明公开了一种在高压下将液态四氯化硅与氢气反应生成气态甲硅烷的方法及装置，在一定压力下，将温度控制 |
| 45 | CN102557038A | 一种多晶硅制备方法 | 2012.07.11 | 本发明公开了一种多晶硅的制备方法，其包括在还原炉反应器内，原料三氯氢硅与高纯氢气在1050-1250 |
| 46 | CN102530951A | 生产粒状多晶硅的方法及装置 | 2012.07.04 | 本发明公开了一种采用流化床工艺生产粒状多晶硅的方法及装置，通过将氯化氢从流化床顶部扩大段通入流化床反 |
| 47 | CN101870471B | 高效大型多晶硅还原炉 | 2012.06.13 | 本发明公开了一种高效大型多晶硅还原炉，它包括底盘和罩在所述底盘上的钟罩式炉筒，所述底盘上密集地设有多 |
| 48 | CN202246080U | 一种高效节能的多晶硅制备装置 | 2012.05.30 | 本实用新型涉及一种高效节能的多晶硅制备装置，包括由反应器内衬和外壳限定的中空腔体，所述内衬与包裹内衬 |
| 49 | CN101759184B | 氢等离子体辅助制造多晶硅的系统和方法 | 2012.05.30 | 本发明公开了一种利用氢等离子体生产多晶硅的方法，该方法采用二氯甲硅烷、三氯甲硅烷和四氯化硅中的一种或 |
| 50 | CN101759189B | 三氯氢硅的制造方法 | 2012.03.07 | 本发明涉及一种三氯氢硅的制造方法，所述方法包括使四氯化硅、氢气和任选的氯化氢与硅粉在选自铜卤化物和镍 |
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